匯集了成大及中山大學的研究能量，成功大學在南科臺達大樓，正式成立晶體研究中心，未來將攜手全球夥伴，提升臺灣在全球市場競爭力。

國立成功大學「晶體研究中心」正式啟動，成為國內唯一具備超高溫（2300°C以上）大尺寸碳化矽（SiC）晶體生長技術的學術機構。教育部主任秘書林伯樵在中心的揭牌記者會中表示，中心匯集了中山及成大研究能量，將攜手全球產業夥伴，加速技術轉移，推動SiC與氧化鎵（Ga₂O₃）材料在半導體、光學、雷射及醫療領域的應用，提升臺灣在全球市場的競爭力。

中心主持人周明奇教授表示，除了國內產學合作，成功大學晶體研究中心亦積極拓展國際布局。並在立陶宛與拉脫維亞設立研究據點，未來也歡迎兩校的師生，前往國外的研究據點進修。

周明奇表示，本次晶體研究中心的成立，吸引國內外龍頭企業大力支持。其中，大立光電集團投入數千萬元建置最先進的晶體生長設備，並額外投入經費專注於氧化鎵技術開發與技術轉移，使研究規模擴增三倍，推動臺灣在全球晶體技術競爭中的領導地位。